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当异质结界面旋转45度时，个支高补干政反向截止电流显著增大，导致器件的电整流比明显下降，同时热整流比也降低至32%。吕瑞涛，持方持氢策征清华大学材料学院长聘副教授，持方持氢策征博士生导师，主要从事碳基低维材料缺陷设计及性能调控研究，侧重于晶格缺陷（掺杂原子、空位、界面等）的可控构筑、原子级构型解析以及在高效能源存储/转换器件、超灵敏分子探测、高性能催化等领域的应用性能研究。

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